|
عنوان
|
شبیه سازی دیودهای نورگسیل آلی با لایه فعال Alq3 با استفاده از نرم افزار OPVDM و بررسی اثر ضخامت لایه فعال بر خواص الکتریکی آنها
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه‌شده
|
|
کلیدواژه‌ها
|
دیودهای نورگسیل آلی، خواص الکتریکی، نرم افزار OPVDM، شبیه سازی الکتریکی.
|
|
چکیده
|
در این پژوهش ابتدا به کمک نرم افزار OPVDM، دیودهای نور گسیل آلی سه لایه ای ITO /Alq3/Ag با ضخامت های مختلفی از لایه نور گسیل آلی Alq3 شبیه-سازی شده و سپس اثر ضخامت لایه فعال بر خواص الکتریکی دیودها مورد بررسی قرار می گیرد. با بررسی نمودار چگالی جریان- ولتاژ، ضخامت بهینه لایه نور گسیل آلی 60 نانومتر تعیین گردید. در مرحله بعد شبیه سازی، جهت بهبود عملکرد دیود از پلیمر رسانای PEDOT : PSS استفاده شده و خواص الکتریکی ساختار ایجاد شده ITO/PEDOT:PSS/Alq3/Ag مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد که استفاده از پلیمر PEDOT : PSS باعث افزایش چگالی جریان می شود. همچنین در این مطالعه شبیه سازی الکتریکی مقاومت های مختلف سری صورت پذیرفته و نمودار چگالی جریان-ولتاژ مورد بررسی قرار می گیرد.
|
|
پژوهشگران
|
مریم هداوند (نفر پنجم)، مهدیه زاج چناری (نفر چهارم)، الهام ملکی (نفر اول)، سیدمحسن حسینی (نفر سوم)، محمدرضا جعفری (نفر دوم)
|