پروسکایت ها با فرمول شیمیایی ABO3 متعلق به بزرگترین خانواده اکسیدها می باشند. خواص فیزیکی جالب و مهم این مواد موجب شده است که در سال های اخیر به طور گسترده ای مورد بررسی و پژوهش قرار بگیرد. در میان خانواده بزرگ پروسکایت ها، تیتانات ها با ساختار عمومی XTiO3، مهم ترین گروه اکسید های فروالکتریک می باشند. باریم تیتانات(BaTiO3) اولین سرامیک فروالکتریک می باشد و به علت خواص دی الکتریک، پیزوالکتریک و فروالکتریک عالی، بهترین گزینه برای انواع کاربرد ها می باشد. به دلیل ثابت دی الکتریک بالا، اتلاف دی الکتریک پایین، پایداری بسیار بالا از نظر شیمیایی و مکانیکی، بروز خواص فروالکتریک در دمای اتاق و بالاتر از دمای اتاق، نانوساختارهای باریم تیتانات در مواردی همچون ساخت مقاومت های برقیPTC ، حسگرهای پیزوالکتریک، شتاب سنج، خازن های معمولی، خازن های چند لایه (MLCCs) و حافظه های کوتاه مدت DRAM کاربرد فراوان دارد. در این ماده حلقه های پسماند یک ویژگی بسیار مهم می باشد که عواملی همچون دما، اندازه، کرنش و تنش روی آن تاثیر می گذارد. با استفاده از نرم افزار متلب ساختار باریم تیتانات را شبیه سازی نمودیم و با استفاده از نرم افزار لمپس تاثیر اندازه بر حلقه های پسماند را بررسی کردیم. نتایج نشان داد با افزایش اندازه در نانوساختارهای باریم تیتانات، با افزایش اندازه حلقه های پسماند بزرگ تر و ثابت دی الکتریک افزایش می یابد. نتایج ما با یافته های تجربی و شبیه سازی های قبلی مطابقت دارد.
