|
عنوان
|
تاثیر غلظت کمپلکس Znq2 بر بازدهی اپتیکی،الکتریکی دیود نورگسیل آلی بر پایه دو ساختار
|
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه‌شده
|
|
کلیدواژه‌ها
|
غلظت ، دیود نورگسیل آلی ، Znq2
|
|
چکیده
|
دراین مقاله گزارش ساخت دیود نورگسیل آلی با دو ساختار ITO/PEDOT:PSS/PVK/Znq2/PBD/Al و ITO/PEDOT:PSS/PVK: Znq2:PBD/Al با غلظتهای مختلف ارائه شده است. اثر تغییر غلظت لایه گسیلنده آلی Znq2 بر روی مشخصه های دیودهای ساخته شده مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها با درصدهای وزنی یکسان PVK، PBD و درصد وزنی متفاوت Znq2 به روش لایه نشانی چرخشی بر روی لایه PEDOT:PSS لایه نشانی شد. منحنی مشخصه جریان – ولتاژ و نورتابی (الکترولومینسانس) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج آنالیزها نشان داد که در هر دو ساختار با افزایش غلظت کمپلکس Znq2 میزان شدت جریان و نورتابی افزایش و هم چنین ولتاژ کاری کاهش یافته است.
|
|
پژوهشگران
|
عبداله داودی (نفر اول)، محمدرضا جعفری (نفر سوم)، زهرا شاهدی (نفر دوم)
|