در این پژوهش، نقاط کوانتومی AgInSe (AISe) به روش هایدروترمال سنتز شده است. نتایج حاصل از آنالیز طیف عبور اپتیکی نشان دهنده طول موج لبه جذب در حدود nm 595 و شکاف انرژی eV 09/2 میباشد. در ادامه این نقاط کوانتومی به عنوان جاذب نور در سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی مورد استفاده قرار گرفته است. برای آماده سازی سلول خورشیدی از الکترولیت پلی سولفیت و کانترالکترود Cu2S استفاده شده است. با توجه به نتایج آنالیز فوتوولتاییک چگالی جریان اتصال کوتاه(Jsc)، ولتاژ مدار باز(Voc) و بازدهی(η) به ترتیبmA/cm2 63/6،mV 477 و63/1% بدست آمد. در این تحقیق تلاش شده است که از لایهای به عنوان جذاب نور در سلول خورشیدی استفاده شود که میزان سمیت آن کم باشد. در ادامه جهت افزایش میزان جذب نور توسط سلول خورشیدی از لایه CdS روی فوتوآند شاملTiO2/AISe استفاده شده است. با توجه به طیف عبور اپتیکی فوتوآندTiO2/AISe طول موج لبه جذب حدودا nm 500 شده است که با اضافه شدن لایه CdS میزان جذب لایه به سمت طول موجهای بلندتر جابه جا شده است (nm 580). این جابه جایی طول موج باعث افزایش چگالی جریان بهmA/cm2 12/21 و افزایش بازدهی به 20/4% شده است که در مقایسه با فوتوآند بدون لایه CdS حدود 157% افزایش یافته است.