استفاده از مبدل های DC-DC به دلیل ناکارآمد بودن روش های قدیمی در تغییر سطوح ولتاژ DC مورد توجه متخصصین قرار گرفته است. همچنین در سال های اخیر مبدل های PWM به دلیل پاسخ گذرای سریع و چگالی توان بالا به طور گسترده ای در صنعت مورد استفاده قرار گرفته اند. با توجه به پیشرفت روز افزون صنایع نظیر سیستم های فتوولتائیک نیاز به یک مبدل با راندمان بالا و ابعاد کوچک کاملا احساس می شد. روش های مختلفی جهت رسیدن به چگالی توان بالا و کوچک شدن ابعاد مبدل وجود دارد. یکی از این روش ها افزایش فرکانس کلید زنی می باشد. اگر چه با افزایش فرکانس کلید زنی می توان به چگالی توان بالا دست یافت اما عوامل محدود کننده ای نظیر تلفات کلیدزنی و تداخلات الکترومغناطیسی مانع از افزایش آن می شوند. جهت رفع معایب افزایش فرکانس کلیدزنی می توان از تکنیک های کلید زنی نرم استفاده کرد. از طرفی در ساختار سیستم های فتوولتائیک به دلیل پایین بودن سطح ولتاژ نیاز به مبدل های افزاینده احساس می شود. یکی از راهکارها تغییر ضریب وظیفه در مبدل های پایه مانند بوست می باشد که این راهکار به دلیل محدودیت هایی نظیر کاهش راندمان مناسب نمی باشد. لذا راهکارهای مناسب تری نظیر استفاده از سلول های افزاینده در سال های اخیر مورد توجه طراحان قرار گرفته است. در این پایان نامه یک مبدل بوست درجه دوم به همراه سلول افزاینده و یک سلول اسنابر پیشنهاد گردیده است. استفاده از مبدل بوست درجه دوم به همراه سلول افزاینده جهت افزایش بهره و سلول اسنابر جهت فراهم شدن شرایط کلید زنی نرم استفاده شده است. سلول اسنابر پیشنهادی از نوع غیر فعال بوده که از یک سلف کوپل شده به همراه دو دیود و دوخازن تشکیل شده است. کلید اصلی مبدل به همراه همه دیودها تحت کلید زنی نرم خاموش و روشن می شوند. وضعیت های مختلف عملکرد مبدل پیشنهادی و نتایج شبیه سازی ارائه شده و در پایان نتایج تحلیل و پیشنهادات برای کارهای آینده آورده شده است.
