در این پایا ن نامه در باره ی گرافن و مشقتات معروف آن که شامل نانو ریبون ها و نانو مش های گرافن، خواص شیمیایی، الکتریکی، مکانیکی آن و روش های شبیه سازی بحث خواهد شد. لذا ساختار نانو مش گرافن با استفاده از نرم افزار متلب رسم و به کمک نرم افزار لمپس پتانسیل اعمال شده به آن بررسی خواهد شد. همچنین این ساختار ها در فضای سه بعدی VMD نشان داده شده است . طول و عرض این نانو ریبون ها با حفره های پیش بینی شده برای الگو دهی نانو مش ها ی منظم و وارد کردن شرایط دمایی مناسب و همچنین گام زمانی کافی در شعاع های حفره ای متفاوت در برنامه متلب نوشته شده، ساختار مورد بررسی قرار گرفته است .در حوزه ی الکترونیکی، نانو مش های گرافن با داشتن نوار گافی مناسب در ساختن ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار گرفته اند .مهمترین هدف برای انتخاب نانو مش های گرافن در این پایان نامه خواص نیمه هادی بسیار شگفت انگیز این ترکیب میباشد، که گزینه ی مناسبی برای تجهیزات الکترونیکی پیشرفته می باشد. به همین دلیل با استفاده از دینامیک ملکولی به بررسی تغیرات خواص مکانیکی با توجه به اعمال حفره در نوار گرافن می پردازیم، چراکه میدانیم اعمال حفره با فواصل منظم منجر به بهبود خواص نیمه هادی و کیفیت عملکرد الکترونیکی نوار های گرافن خواهد شد، بنابراین در ادامه به طور گسترده تاثیرات اعمال حفره را بررسی می کنیم. در این مطالعه از روش دینامیک مولکولی و پتانسیل تریسوف استفاده شده است. همچنین تنش و رابطه ی آن با کرنش، تغییرات مدول یانگ با شعا ع حفره های متفاوت و همچنین نسبت به فواصل حفره تا حفره ی متفاوت برای این خاصیت مکانیکی بررسی شده است. متوجه می شویم که مدول یانگ با افزایش اندازه ی حفره ها و کاهش فواصل بین حفره ها کاهش می یابد.
