بررسی خواص پیزوالکتریک در نانوسیم هایZnO به منظور کاربرد در نانوژنراتورها و نانوحسگرها اکسید روی عضوی از خانواده ورتزیت می باشد و خواصی مانند نیمه رسانایی، پیزوالکتریک و پیروالکتریک را از خود نشان می دهند. این خواص بی نظیر باعث می شود که ذرات اکسید روی یکی از غنی ترین مواد نانوساختاری باشند. اکسید روی دارای سه مزیت عمده اول اینکه نیمه رسانایی با شکاف باند eV37/3، انرژی تحریک زیاد(meV60) و دارای نشر نزدیک به اشعه ماورابنفش نیز می باشد. دوم پیزوالکتریک است که در حسگرها و مبدل ها بسیار کاربرد دارد و در نهایت زیست سازگار و ایمن می باشد که می تواند در کاربردهای پزشکی به کار رود. با این خصوصیات ویژه، اکسید روی می تواند زمینه های تحقیقاتی گوناگونی را در آینده ایجاد کند. نانوسیم های اکسید روی توسط اکسیداسیون از پودر روی حاصل می شوند. اکسیداسیون روی با حرارت لوله ای از پودر روی، در مدت زمان و دماهای مختلف انجام شده است. نانوسیم ها با استفاده از دو روش رسوب فاز بخار و روش هیدروترمال سنتز شده اند. با استفاده از نرم افزار متلب ساختار اکسید روی را شبیه سازی نمودیم و با استفاده از نرم افزار لمپس بررسی خواص پیزوالکتریک در نانوسیم های اکسید روی را بررسی نمودیم.(نتایج نشان داد با کاهش ابعاد جانبی ضریب پیزوالکتریک نانوسیم ها، افزایش می یابد). نتایج ما با یافته های تجربی مطابقت دارد.
