در این تحقیق با استفاده از نرم افزار LAMMPS به بررسی خواص نانوساختارهای فروالکتریک یک بعدی به صورت تابعی از دما و راستاهای کریستالوگرافی مختلف پرداخته شده و سپس ضریب پخش، جابجایی اتمها در راستای مورد مطالعه و میانگین مربع جابهجایی محاسبه میشود و در نهایت با نتایج آزمایشگاهی مقایسه میگردد. روش مورد استفاده در این شبیهسازی، دینامیک مولکولی میباشد که با کمک پتانسیل باکینگهام به مدلسازی نانو ساختار پرداخته و ضرایب مربوط به پتانسیل )که اکثراً از روشهای کوانتومی مانند محاسبات آغازین بدست آمده( برهمکنش اتمهای موجود در ساختار را تعیین میکنند. انتخاب شرایط مرزی نیز مدل برهمکنش بین ذرات دستگاه و محیط اطراف آن را مشخص میکند. برای انجام شبیهسازی نانوساختار مورد نظر مثال نانوسیمهای فروالکتریک تهیه شود. با استفاده از مولد اعداد تصادفی مولر اجازهی حرکت اولیه به ذرات داده میشود و بعد از گذشت 1000 گام زمانی یعنی حدود 1ps سیستم به تعادل با محیط میرسد. در نهایت ضریب پخش و جابهجایی میانگین مربعی محاسبه شده و با اطالعات آزمایشگاهی مقایسه شد که نتایج، نشانگر توافق خوب بین شبیه سازی و آزمایشگاه می باشد.
