در طول دهه گذشته مواد دوبعدی به دلیل خواص فوق العاده الکترونیکی و مکانیکی در کانون توجه پژوهشگران بوده است. جرقه اولیه این حرکت رو به رشد علمی با جداسازی یک ورقه دوبعدی از اتمهای کربن از گرافیت که گرافن نامیده شد در آزمایشگاه فیزیک دانشگاه منچستر توسط نووزلف و گایم در سال 2004 زده شد. تا سال 2010 که جایزه نوبل فیزیک برای کشف گرافن به این دو دانشمند تعلق گرفت خانواده مواد دو بعدی بسیار پرجمعیتتر شد. از جمله این SiO مواد سیلیسن است که به دلیل سازگاری با ماده عایق مرسوم در صنایع نیمههادی یعنی 2 بسیار مورد توجه قرار گرفت. یکی از ویژگیهای اساسی مواد دو بعدی عدم وجود یا کوچک بودن گاف نوار انرژی آنها است. به همین دلیل تلاش برای یافتن راهی برای ایجاد و کنترل گاف نوار درآنها همواره مورد توجه مهندسین مواد و الکترونیک بوده است. برش صفحات سیلیسن در ابعاد نانو از طریق ایجاد محدودیت کوانتومی برای حاملهای بار باعث ایجاد گاف نوار در نانونوارهای سیلیسنی میشود. با این وجود اگر پهنای نانونوار بسیار کوچک باشد اثرات ناصافی لبه باعث افت شدید هدایت الکتریکی میشود. به همین دلیل معمولا از ترکیب برش و روشهای دیگر برای ایجاد گاف مورد نظر استفاده میکنند. یکی از این روشها استفاده از کشش است. در این تحقیق با استفاده از تقریب تنگبست به بررسی اثر کشش تکمحوری بر ساختار نوار انرژی نانونوارهای سیلیسنی پرداختهایم. نتایج پژوهش به وضوح نشان میدهد که میتوان از کشش برای ایجاد و کنترل گاف نوار در نانونوارهای سیلیسنی آرمچیر استفاده نمود.
