هدف اصلی دراین تحقیق مطالعه میکروسکوپی سازوکارهای مهاجرت یونی از جمله بررسی مسیرهای مهاجرت، فرایندهای جابجایی، سد انرژی انتشار و ضریب انتشار عامل‌های مختلف یونی می‌باشد. در این کار ناخالصی‌هایی به پروسکایت‌ها اضافه شده است و تأثیر آن بر رسانندگی یونی و بهبود عملکرد پروسکایت‌ها بررسی شده است. همچنین به بررسی تأثیر تراکم نقص بر رسانندگی یونی پرداخته شده است. علی رغم تحقیقات گسترده‌ای که در مورد هدایت یونی در پروسکایت‌های و انجام شده است، هنوز برخی از سازو کارهای مهم از جمله تأثیر مرزدانه‌ها یا فصل مشترک‌ها و همچنین نحوه تأثیر فشار گاز اکسیژن بر رسانندگی یونی دراین مواد از دیدگاه میکروسکوپی نامشخص است. در این پژوهش اصول حاکم بر انتقال یون در پروسکایت‌های هیبریدی از جمله و و تأثیرعوامل مختلف بر آن از جمله عوامل درونی(نقص‌های درونی و گسترده) مورد بررسی قرار گرفت. هدف اصلی از این قسمت شناسایی روش‌های کاهش یا افزایش رسانندگی یونی از طریق مهندسی نقص یا تزریق ناخالصی می‌باشد. پروسکایت‌های اکسی هیدرید نسل جدیدی از مواد پیشرفته هستند که افق‌های جدیدی را در زمینه‌های علم و فناوری گشوده‌اند. رسانایی ترکیبی الکترونیکی و یونی این مواد، آن‌ها را به یک نامزد بالقوه برای مواد آند یا کاتد در سلول‌های سوختی حالت جامد و باتری‌های قابل شارژ تبدیل کرده است. رسانایی یونی یکی از عوامل کلیدی در عملکرد این مواد است. در این کار، از روش دینامیک مولکولی با یک میدان نیروی reax برای بررسی اثر غلظت تهیجایی اکسیژن و هیدروژن بر انتشار اتم‌های اکسیژن و هیدروژن استفاده شده است. نتیجه نشان می‌دهد که با استفاده از این میدان نیرو، نمونه‌های در شرایط پایدار هستند. بنابراین نمونه‌ها تحت شرایط ، و شبیه‌سازی شده‌اند. نتایج نشان می‌دهد که دینامیک انتشار غالب اتم‌های هیدروژن، حرکت بین نزدیک‌ترین تهیجایی‌های اکسیژن همسایه به شکل هیدرید است. ضرایب انتشار و انرژی‌های فعال‌سازی با استفاده از میانگین مربع جابجایی و نمودارهای آرنیوس ارزیابی می‌شوند. نتایج نشان می‌دهد که انرژی‌های فعال‌سازی یون‌های اکسید و هیدرید نزدیک به هم هستند و در محدوده‌ی 03/0 تا 9/0 قرار دارند و هر دو با افزایش y، کاهش می‌یابند. نتایج همچنین نشان می‌دهد که عوامل پیش نمایی انتشار هیدروژن و اکسیژن به ترتیب در محدوده‌ی تا 0045/0 و تا 0017/0 قرار دارند.
