سطوح انرژی پتانسیل بین مولکولی برای کمپلکس های واندروالسی Ar∙∙∙NCCN و Ne∙∙∙NCCN با استفاده از روش خوشه های جفتیده CCSD(T) و مجموعه پایه aug-cc-pVDZ که با یک مجموعه توابع میان – پیوندی 3s3p2d1f1g تقویت شده است، محاسبه شدند. در کمپلکس Ne∙∙∙NCCN، اثر مکان توابع میان – پیوندی بر روی صحت انرژی های برهمکنش محاسبه شده و نیز بررسی شد و بهترین مکان توابع میان – پیوندی انتخاب شد. سطوح انرژی پتانسیل بین مولکولی محاسبه شده به وسیله یک تابع تحلیلی که توسط بوکوسکی معرفی شده برازش شدند. بر روی سطوح انرژی پتانسیل بین مولکولی کمپلکس های Ar∙∙∙NCCN و Ne∙∙∙NCCN یک کمینه سراسری به ترتیب در فاصله بین گاز نجیب و مرکز جرم سیانوژن 3.35 و Å 3.28 و زاویه °90 و دو کمینه موضعی برای ساختار خطی در فواصل 5.54 و Å5.25 دیده می شود. سرانجام ضرایب دوم ویریال برهمکنشی کمپلکس های Ar∙∙∙NCCN و Ne∙∙∙NCCN با استفاده از سطوح انرژی پتانسیل بین مولکولی این کمپلکس ها محاسبه شدند. همچنین دو سطح انرژی پتانسیل بین مولکولی صحیح و جدید برای کمپلکس واندروالس Ar∙∙∙HCl با استفاده از روش خوشه های جفتیده CCSD(T) و مجموعه ها پایه aug-cc-pVXZ-33211 (X=T, Q) محاسبه شد. انرژی-های برهمکنش محاسبه شده به یک مدل پتانسیل تحلیلی برازش شدند. هر دو تابع پتانسیل جفت شده یک کمینه سراسری و یک کمینه موضعی، به ترتیب برای ساختار های خطی Ar∙∙∙H – Cl و Ar∙∙∙Cl – H نشان می دهند که با پتانسیل های تجربی گزارش شده در نشریات و مدارک علمی توافق دارند. ضرایب دوم ویریال برهمکنشی و خواص طیف سنجی چرخشی – ارتعاشی با استفاده از پتانسیل های برازش شده بدست آمدند و با داده های تجربی موجود و کار های قبلی مقایسه شدند.
