در این مقاله دو ضخامت مختلف از لایه متشکل از نانوذرات TiO2 در ساخت سلولهای خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی به کار گرفته میشود. نانوذرات TiO2 به روش هایدروترمال سنتز شده و در دو ضخامت مختلف 4±0/5 و 10±0/5 میکرومتر بر سطح زیر لایه شیشه/هادی شفاف جایگذاری میگردند. به منظور حساس سازی فوتوآند، نقاط کوانتومی CdS به روش جذب متوالی لایه های یونی و انجام واکنش (سیلار) بر سطح فوتوآند رشد داده میشوند. هم چنین به منظور یافتن بهینه چرخه لایه نشانی نقاط کوانتومی CdS فرآیند لایه نشانی در چرخههای 2-7ادامه پیدا میکند. نتایج نشان داد که بهترین سلول خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی CdS در طی 6 دوره لایه نشانی بر لایه 10 میکرومتری از نانوذرات TiO2 بدست آمد. این سلول خورشیدی دارای پارامترهای فوتوولتایی جریان مدار کوتاه (6/93 (Jsc میلی آمپر/سانتی متر مربع ، ولتاژ مدار باز Voc) 610) میلی ولت و بازدهی تبدیل انرژی%η) 76/1) میباشد. همچنین با توجه به نتایج آنالیز EIS، در مورد بهینه سلول خورشیدی میزان Cµ به مقدار240 میکرو فاراد افزایش یافت که این نشان دهنده افزایش میزان بار الکتریکی در لایه فوتوآند و هم چنین افزایش انتقالات الکترونی است. هم چنین طول عمر حاملهای بار در این سلول برابر 9 میلی ثانیه بود.