الکتروانباشت از جمله روشهای متداول ساخت لایههای نازک آلیاژی و بس لایهها است. این روش نسبت به روشهای مبتنی بر خلاء دارای انعطاف پذیری بیشتر و صرفه اقتصادیست. در این روش، رشد تک لایه و بس لایههای خالص و آلیاژی بر روی زیرلایه-های رسانا و نیمهرسانا در دما و فشار محیط و با اعمال اختلاف پتانسیل به محلول الکترولیت صورت میگیرد. در این پژوهش لایههای نازک خالص Ni و Co و آلیاژی Ni-Co وNi-Co-Fe با درصدهای مختلف آهن بدون حضور و در حضور میدان مغناطیسی خارجی mT500 در دوحالت عمود و موازی بر سطح کاتد بر روی زیرلایهی مس و بسلایه Ni/Cu در مد کرونوکولومتری(CHC) تحت پتانسیل ثابت در یک الکترولیت تک حمام تحت شرایط یکسان انباشت شدند همچنین با استفاده از ولتامتری چرخهای (CV) توانستیم ولتاژ شروع انباشت لایهها را مشخص کنیم ونتایج حاصل به منظور بررسی اثر اندازه دانهها و وهمچنین جهت میدان اعمالی باهم مقایسه شدند. جهت مطالعه ساختاری و بلوری نانو لایه های الکتروانباشت شده از نقش پراش اشعه ایکس (XRD) استفاده می شود. همچنین اندازه متوسط نانوبلورک ها و کرنش شبکه با استفاده از معادلات دبای-شرر و ویلیامسون- هال محاسبه میگردد. ریخت شناسی لایههای انباشت شده با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد مطالعه قرار می گیرد. علاوه بر این درصد عناصر انباشت شده در نانو لایههای آلیاژی با استفاده از آنالیز تفکیک پراکندگی اشعه ایکس (EDX) بررسی میشود و بهنجار یا نابهنجار بودن لایه از نظر درصد عناصر در الکترولیت و لایه انباشت شده مورد مطالعه قرار میگیرد. خواص مغناطیسی نانو لایه های آلیاژی تک لایه و بس لایه ای الکتروانباشت شده، به وسیله مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) مورد مطالعه قرار میگیرد. نتایج حاصل از این تحقیق بیانگر تأثیرات میدان برفرآیند رشد، ساختار بلوری و همچنین خواص مغناطیسی فیلمهای انباشت شده است. از جمله این تأثیرات میتوان به هموارتر گشتن سطح نمونههای مغناطیسی در حضور میدان مغناطیسی و تعیین محور آسان و محور سخت نانولایههای مغناطیسی و بسلایههای مغناطیسی/ غیر مغناطیسی الکترو انباشت شده با استفاده از منحنی پسماند مغناطیسی در دو حالت میدان موازی و میدان عمود بر لایه، اشاره نمود.
